詳細信息：
8英寸氧化硅片襯底單晶硅片
直徑 8英寸
生長方式 直拉/區熔
導電類型 P型/N型/本征
晶圓方向 0 - 100 ohm.cm
拋光: 單面/雙面
總厚 720± 20微米
彎曲度 小于等于50微米
翹曲度 小于等于50微米
總厚度偏差 小于等于25微米
直徑 200± 0.5微米
晶格缺陷:無
電阻率 : 可定制
激光打標： 可定制
particle: 小于等于0.3微米小于等于30
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