ALN干壓片

氮化鋁陶瓷具有優良的導熱性（為氧化鋁陶瓷的5-10倍），較低的介電常數和介質損耗，可靠的絕緣性能，優良的力學性能，無毒，耐高溫，耐化學腐蝕，且與硅的熱膨脹系數相近，作為新一代的陶瓷材料，越來越受到人們的關注和重視。我司生產的氮化鋁陶瓷，品質領先國內同類產品，具有國際先進水平，廣泛應用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業。

AlN陶瓷基片主要性能指標

性能內容

性能指標

熱導率(W/m·k）

≥170

體積電阻率（Ω·cm）

＞1013

介電常數[1MHz,25℃]

9

介電損耗[1MHz,25℃]

3.8х10-4

抗電強度(KV/mm)

17

體積密度（g/cm3）

≥3.30

表面粗糙度Ra(µm)

0.3~0.5

熱膨脹系數[20℃ to 300℃](10-6/℃)

4.6

抗彎強度(MPa)

320~330

彈性模量(GPa)

310~320

莫氏硬度

8

吸水率(%)

0

翹曲度(~/25(長度))

0.03~0.05

熔點

2500

外觀/顏色

灰白色

注：1.表面光潔度經拋光處理后，Ra≤0.1µm；

2.產品各向尺寸精度通過激光劃線保證，小值±0.10mm；

3.特殊規格產品可按客戶要求定制生產。